| ||||
|
Главная страница » Энциклопедия строителя содержание: [стр.Введение] [стр.1] страница - 1 LW J dx \ D3( x, y)dy = 0(26) 0 0 Подставляя выражения (12) и (13) в (9) а затем получившееся выражение в (26), с учетом решения для A1, A2, A3, A4, B1, B2, B3, B4, и выполняя интегрирование, получим уравнение для E3. Используя определение магнитоэлектрического коэффициента по напряжению aET = E3 /H1, получено для него выражение которое вследствие его громоздкости не будем приводить в этой работе. Теоретическая частотная зависимость магнитоэлектрического коэффициента для узкой пластинки (W=0) приведена на рис. 2, для широкой пластинки на рис. 3. Для количественной оценки величины эффекта воспользуемся параметрами композиционного материала, приведенными в [3]. Выражая обычным способом модули податливости через модули упругости, мы получим следующие значения параметров: магнетик - ms]]=0.454-10~]0 м2/Н, qu=19.710~]0 м/A, ms12=-0.135-10-10 м2/Н, q12=-6,610-10 м/A, mp=9200 кг/м3, L=6,8 мм; пьезоэлектрик - psn=0.16610-10 м2/Н, ps12=-0.048&10-10 м2/Н, d31=-1.8210-10 м/В , pp=7700 кг/м3, ps33=1800, L2=9.1 мм, w=6,5 мм. Параметр х, характеризующий затухания, определим из условия, чтобы полуширина резонансной линии, рассчитанной теоретически, совпадала с полушириной экспериментальной кривой. Это условие дает для него значение х =10000 рад/с. В/ смЗ~ ю 6 2Н 0 f 20 40 60 80 100 120 140 160 180 кГц Рисунок 2 - Частотная зависимость магнитоэлектрического коэффициента для узкой пластинки. B/ смЭ 14 12" ю- 20 40 60 80 100 120 140 160 180 f кГц Рисунок 3 - Частотная зависимость магнитоэлектрического коэффициента для широкой пластинки. W=8 мм Для широкой пластинки на частотной зависимости МЭ коэффициента появляется дополнительный третий пик, а также наблюдается увеличение МЭ коэффициента на 4 В/смЭ. Список литературы 1.Д. А. Филиппов, А. А. Паневин Магнитоэлектрический эффект в феррит-пьезоэлектрических композитах в области электромеханического резонанса // Вестник НовГУ. Сер.: Естеств. и техн. науки. - 2004. - № 26. - С. 24-29. 2.Wan J. G., Liu J.-M.,. Chand H. L. W, Choy C. L., Wang G. H., Nan C. W. //J. Appl. Phys., 2003, V.93, P.9916. 3.Liu Y. X., Wan J. G., Liu J.-M., Nan C. W.// Appl. Phys., 2003, V.94, P. 5111. содержание: [стр.Введение] [стр.1] |
|||
© ЗАО "ЛэндМэн" |