Как обустроить мансарду?



Как создать искусственный водоем?



Как наладить теплоизоляцию?



Как сделать стяжку пола?



Как выбрать теплый пол?



Зачем нужны фасадные системы?



Что может получиться из балкона?


Главная страница » Энциклопедия строителя

содержание:
[стр.Введение] [стр.1]

страница - 1

А9 = (Ad / d)/ ctg6.

Для малых ОКР (<D>): (<D>) = X/Bcos9, или B = X/(<D>)cos9, где В- полуширины.

Учет уширения дифракционных максимумов за счет инструментальных функций нами проводился по эталонному образцу, у которого (<D>) » 100 нм. и Ad/d=0.

В синтезируемых нами образцах Pb1-xZrO3 величины микродеформаций минимальны (Ad/d < 10-4), так как зависимость физической полуширины от 29 хорошо описывалась функцией косинуса.

Параметры кубических ячеек (ак) зависят от х: в стехиометрическом составе (х=0) значение ак совпадает со средним параметром объемного PbZrO3 - (<а0>), в составе 2 с х=0.125 он меньше, чем <a0>, а в составах 3 и 4 с х=0.25 и х=0.33 параметры кубических ячеек ак больше <a0>. Это говорит о том, что в составе 2 кроме размерного эффекта и нестехиометрии существует и эффект упорядочения вакансий по Pb.

Синтез составов Pb1-xZrO3 при более высоких температурах приводит к образованию орторомбических фаз с изменяющимися степенями деформации перовскитовых ячеек, как и в ранее наблюдаемых измерениях тонких пленок PbZrO3 в зависимости от их толщин [5].

Образование перовскитовых структур Pb1-xZrO3 для стехиометрического состава при температуре 750°С обнаруживает, что составы обладают антисегнетоэлектрической орторомбической фазой.

Уменьшение размеров <D> и разрушение стехиометрии PbZrO3 понижают температуры антисегнетоэлектрического фазового перехода ниже комнатной температуры, расширяя область существования сегнетоэлектрической фазы.

Литература.

1.Palkar V.L., Ayyub P., Chattopadhyay S., Multani M. // Phys. Rev. B. 1996. V.53. №5. P.2167.

2.Zhang Y.H., Chan Ch.K., Porter J.F., Guo W. // J. Mater. Res. 1998. V.13. №9.

P.2602.

3.Ayyub P., Palkar V.L., Chattopadhyay S., Multani M. // Phys. Rev. B. 1995. V.51.

№9. P.6135.

4.Scott J.F. // Ferroelectrics Rev. 1998. V.1 P.1

5.Ayyub P., Chattopadhyay S., // Nanostructured Materials. 1999. V.12. №5-8. P.713.

6.Кофанова Н.Б., Куприна Ю.А., Куприянов М.Ф. // Изв. А.Н. Сер. Физ. 2002 Т.66

№6 с.839.

7.Суровяк З., Чекай Д., Гомес М.Дж.М., Кофанова Н.Б., Куприна Ю.А., Чебанова Е.В., Куприянов М.Ф. // Изв. А.Н. Сер. Физ. 2002 Т.66 №6 с.867.


8.Рао Ч. Н. Р. // «Новые направления в химии твердого тела». Новосибирск. Наука. 1990. с.520.

9.Wojcik K., Ujma Z. // Ferroelectrics. 1989. V.89. P.133.

10.Гориш А.В., Дудкевич В.П., Куприянов М.Ф., Панич А.Е., Турик А.В. // М.: ИПРЖ «Радиотехника». Пьезоэлектрическое приборостроение. Физика сегнетоэлектрической керамики. 1999. Т.1. с.368.

11.Okazaki K., Nagata K. // Amer. J. Ceram. Soc. 1973. P.56.

12.Martirena T., Burfoot J.C. // Phys. 1974. V.7. P.3182.

13.Multani M., Ayyub P., Palkar V.L. // Phase Transitions 1990. V. 24. №6. Р. 91.

14.Corker D.L., Plazer A.M., Dec J., Poleder K. // Acta. Cryst. 1997. B.53. P.135.





содержание:
[стр.Введение] [стр.1]

© ЗАО "ЛэндМэн"