обходиться без подгоночного параметра эффективной массы. Указана возможность наблюдения феномена резонансного туннелирования в такой системе, качественно объясняющего нерегулярности вольтамперных характеристик для тока утечки. Показана некорректность подстановки в одномерное уравнение Шредингера сингулярного в нуле кулоновского потенциала. Это порождает необходимость: во-первых, адекватного подбора профиля (модели) потенциала; во-вторых, адаптации такой модели, неизбежно трехмерной, к одномерности туннельной задачи.

Литература

1.J.Maserjian, J.Vac.Sci.Technol. 11, 996 (1974)

2.K.H.Gundlach, Solid-State Electron. 9, 949 (1966)

3.B.Majkusak and A.Strojwas, J.Appl.Phys. 74, 5638 (1993)

4.H.Nakatsuji and Y.Omura, JpnJ.Appl.Phys:pt1 39, 424 (2000)

5.A.Shenk and G.Heiser, J.Appl.Phys. 81, 7900 (1997)

6.L.Register et al. Appl. Phys. Lett. 74, 457 (1999)

7.M.Macucci, G. Iannaccone, J Greer et al. Nanotechnology 12, 136 (2001)

8.И.В.Грехов, А.Ф.Шулекин, М.И.Векслер. ФТП 32,743(1998)

9.B.K.Ip and J.R.Brews, IEEE Transactions on electron devices 45, 2213 (1998)

10.A.Abramo, A.Cardin, L.Selmi et al, IEEE Transactions on electron devices 47, 1858 (2000)

11.S.Mudanai,Y.Y.Fan, Q.Ouyang et al, IEEE Transactions on electron devices 47,

1851 (2000)

12.M.Houssa, T.Nigam, P.W.Mertens et al, Solid-State Electronics, 49, 159 (1999).

13.Туннельные явления в твердых делах. Под ред.В.И.Переля.- пер.с англ., М:Мир, 1973.- 421с.

14.Г.Г.Карева, М.И.Векслер, И.В.Грехов. ФТП, 36, 953 (2002)

15.K.Likharev. Appl. Phys. Lett., 73, 2137 (1998)

16.K.Kyoung-Youm,L.Byongho.Solid State Electronics, 43,81 (1999).

Логарифм проницаемости барьера IgT

(1) lgT(E),free-Acc -(2) lgT(E),0.16-Acc -(5) IgT(E).free-Ord -(Б) lgT(E),0.16-Ord

(3) lgT(a),free-Acc -(4) 1дТ(а),0.16-Асс -(7) IgT(a),0.1 Б-Ord -(В) lgT(a),free-Ord

Рис.4. Сравнение результатов по точной формуле (7) и приближенной формуле (6) для коэффициента туннелирования через тестовый барьер (рис.2.). Суффиксы обозначений кривых: Acc- для точной, Ord- для приближенной формул, free- для свободного электрона, 0.16- для m 123=0.16m. Независимые переменные отложены на вертикальных осях.

Рис.5. Резонансное туннелирование в системе с N барьерами (m*i=m). Приведены логарифмические зависимости туннельного коэффициента от энергии электрона и при масштабировании системы ^=-3эВ, Vi: ai=a).